电子显示屏浅析中国LED行业自豪的小间距技术 让你一览无遗？

LED显示屏具有其他优点，例如自发光，出色的色彩弹性，高刷新率，省电和易于保护。高亮度和拼接可以完成超标度和分辨率的两个特性，以在过去20年中高速添加LED显示屏。在室外大屏幕领域，没有其他技术可以与LED显示技术竞争。但是，过去存在诸如分辨率低的缺点，例如封装在LED显示屏上的灯珠之间的隔离度大，使其不适合室内观看和几乎间隔观看。

为了提高分辨率，有必要减少灯珠之间的绝缘，但是会减小灯珠的尺寸，但是可以提高整个屏幕的分辨率，但是成本会急剧增加，而过高的成本会影响小间距LED显示屏在商业上的大量使用。近年来，在芯片制造商和封装制造商，IC电路制造商和屏幕制造商的努力下，导致单个封装设备，越来越小的LED封装设备以及显示屏上像素间距越来越小的成本越来越低。分辨率越高，小间隙LED显示屏对房间中大屏幕显示屏的好处就越重要。

目前，小间距LED主要用于广告媒体，体育馆，舞台布景，城市工程等领域，并继续在交通，广播和民用港口地区开设大型购物中心。到2018年，该购物中心的规模估计将接近100亿。在未来几年中，小间隙LED显示屏有望继续扩大市场份额，并继续占据DLP背投空间。根据发光二极管和小间距的LED显示屏，对LED芯片的需求

LED芯片是LED显示屏的心脏，在小间隙LED的开发中起着重要作用。小间距LED显示屏的当前成就和未来发展取决于芯片端的不懈努力。另一方面，室内屏幕间距逐渐减小到P1.5，P1.0和P0.8，这在上一个期间P4中正在开发中。这将灯珠比例从3535和2121减小到1010。一些制造商宣布了0808和0606秤，一些制造商也在开发0404秤。众所周知，由于减小了封装灯珠的尺寸，因此应该减小芯片的尺寸。

如今，在购物中心中，典型的小间距筛网呈绿松石状，约为30mil2，有些芯片工厂已经生产25mil2或20mil2的芯片。另一方面，芯片的外部产品较小，单核亮度降低，并且影响外观质量的一系列问题显着。首先是灰度要求。与野外屏幕不同，室内屏幕需求的难点不是亮度，而是灰度。现在室内大屏幕的亮度要求约为1500 cd/m2-2000 cd/m2，小间距LED显示屏的亮度通常为600 cd/m2-800 cd/m2，这适合长期关注。亮度约为100 cd/m2-300 cd/m2。

如今，小间距LED屏幕的挑战之一是“低照度和低灰度”。换句话说，亮度低的灰度不起作用。包装方面为完成“弱光和高灰度”而采用的方案现在是黑色括号。黑色支架对芯片较弱，因此芯片的亮度应良好。第二是均匀性问题。 与常规屏幕相比，该间隙更小，显示出余辉，第一次扫黑，低红色和低灰色不均匀的问题。现在，残光，首先扫除黑暗和低灰红光问题，封装端和IC控制端已经做出了很大的努力来有效地缓解这些问题，并且在低灰度级时，亮度均匀性问题逐渐得到解决。技术已经放宽了。但是，芯片问题是造成问题的原因之一，必须付出尽可能多的代价。

具体地，在小电流下亮度均匀性优异，并且寄生电容的一致性优异。第三是安全性。当前的职业规范是LED死光率的允许值为十万，不适用于小间距LED显示屏。由于小屏幕的像素密度大，因此观看距离很近，10,000条光线无法承受这种效果。未来的预测速率需求控制可以满足百万分之一或百万分之一的长期需求。通常，小间距LED的开发中对芯片部分的要求是按比例缩小，提高相对亮度，在小电流下具有良好的亮度一致性，具有良好的寄生电容一致性和高可靠性。二，芯片端处理计划1.缩小芯片尺寸以减少外观，是地图规划的问题，看来能够应付需要根据需求规划小地图。但是，是否可以无限期地继续缩小芯片规模？限制芯片规模的原因有很多。 

（1）包装过程的限制。有两个因素限制了封装过程中芯片尺寸的减小。一是喷嘴的约束。 从芯片上需要固态晶体芯片，并且芯片的短边尺寸必须大于喷嘴的内径。现在，经济高效的喷嘴内径约为80um。第二是引线键合的约束。首先是线轴（即芯片电极）必须较大，否则无法保证线键合可靠性，并且行业报告最小电极直径为45um。 

（2）芯片加工的限制。芯片处理有两个限制。一是地图布局的约束。除了上述对封装端的限制外，还需要电极尺寸和电极间距，并且电极和MESA间距，划片线宽度和不同层的边界线间距可能会限制约束，芯片的电流特性，SD处理能力和光刻处理能力。有确定细节约束的大小。通常，P电极到芯片边缘的最小间隔将被限制为14μm或更大。第二是切割能力的限制。 SD划片+机械键合工艺有其局限性，芯片尺寸太小以至于不会破裂。当晶片直径从2英寸增加到4英寸或增加到下一个6英寸时，增加了划片的难度。换句话说，可处理芯片的尺寸将增加。

例如，对于4英寸的薄膜，如果芯片的短边长度小于90μm并且纵横比大于1.5:1，则会大大增加成品率的损失。出于同样的原因，在将芯片规模减小到17平方英里后，芯片的计划和处理可能会达到极限，因此作者大胆地推测除非芯片技术计划有重大突破，否则缩小的空间不大。 

2.就芯片而言，增加亮度是一个永恒的主题。 芯片工厂通过外延程序优化来优化内部量子效应，并通过芯片重组来增强外部量子效应。然而，一方面，芯片的尺寸减小将减小发光区域的面积并降低芯片的亮度。另一方面，减小了小间隔显示屏的点间距，并且降低了对单个芯片的亮度的需求。两者之间存在互补关系，但有一个结论。现在常见的是先从结构中减去以降低芯片成本，这通常会带来亮度降低的价值，因此，如何权衡取舍是业界要注意的问题。 

3.小电流下的一致性将所谓的小电流与室内和室外芯片测试的现行做法进行比较。如下图所示，芯片的I-V曲线，常规的室内和现场芯片都在线性工作区域内工作并具有大电流。小间距LED芯片应在接近零的非线性工作区域工作，并且电流过小。在非线性工作区域，LED芯片受半导体开关阈值的影响，芯片之间的差异更为重要。对大容量芯片的亮度和波长色散的分析表明，非线性工作区域中的不连续性比线性工作区域中的不连续大得多。这是芯片端的一场独特战役。该问题的解决方案是首先优化延伸方向，这降低了线性运动区域的下限。第二个是芯片拆分的优化，可以区分不同特征的芯片。 

4.寄生电容一致性芯片侧没有条件可以直接测量芯片的电容特性。电容特性与定制测量项目之间的关系尚不明确，正在等待业界总结。 芯片侧优化的方向是一次性调整，另一方向是电气合并的一种改进，但它昂贵且不建议使用。 

5.芯片封装和老化过程的各种参数可以解释可靠的芯片末端可靠性。但总的来说，影响芯片未来芯片的因素集中在ESD和IR上。 ESD是一种抗静电功能。根据IC职业报告，超过50％的芯片故障与ESD有关。为了提高芯片的可靠性，您需要提高ESD才能。然而，在相同的外延晶片和相同的芯片结构下，芯片尺寸可能变小并且ESD可能变弱。这与电流密度和芯片电容特性直接相关，无法抗拒。 IR是指反向泄漏，通常在固定的反向电压下测量。 IR反映了芯片上内部缺陷的数量。 IR值越大，芯片内部缺陷越多。改善ESD和IR需要在外延和芯片结构方面进行进一步优化。

对于芯片合并，在严格指定合并之后，去除ESD和具有弱IR的芯片，然后提高芯片的芯片可靠性是很有用的。第四，在总结长沙电子显示屏的基础上，作者分析了小间距LED显示屏的发展，一系列LED芯片的端到端战役，并提出了改进的方案或方向。仍有足够的空间来优化LED芯片。不仅要提高，而且失业者如何明智地发挥自己的才能，做到最好