LED显示屏的寿命以光衰为判断标准更有意义 此文看后便可一清二楚？

LED的长期运行会由于光的崩溃而导致老化，尤其是对于大功率LED，并且光崩溃的问题更为严重。在测量LED的使用寿命时，仅在LED显示器使用寿命到期时才使用灯泡的损坏是不够的，LED的使用寿命必须由LED的光衰减百分比来指定，例如5%或10%。

光学故障33760当感光鼓的表面带电时，电位随着电荷累积在感光鼓的表面上而升高，并最终达到最高电位“饱和”电位。表面电势随时间降低，正常运行时的电势低于该电势。当扫描感光鼓并使其曝光时，暗区(未受光照射的光导体表面)中的电势仍处于暗衰减过程中;亮区(是指被照射部分中的光电导体的表面)在光电导体层中的载流子密度急剧增加。电导率迅速上升，形成光电导电压，电荷迅速消失，并且光电导体的表面电势急剧下降。称之为“光之崩溃”，最后放慢速度。

矿物引起的衰变效应:也称为S-W效应。当长时间用强光照射a-Si：H膜或电流流动时，膜内部会出现缺陷，这会降低膜的使用特性，这被称为Steabler-Wronski效应。关于S-W效应的起因仍然存在很多争议，引起这种现象的微观机理仍是不确定的，并且是国内外非晶硅材料研究的热点。通常，SW效应是由照明引起的，导致带隙中出现了新的悬空键缺陷状态(深能级)，这会影响a-Si：H薄膜材料中费米能级EF的位置。因此，电子的分布改变以引起光学性质的改变，同时影响电子的复合过程。这些缺陷状态成为电子和空穴的另外的复合中心，从而增加了电子的俘获横截面积并缩短了它们的寿命。

在a-Si：H薄膜材料中，可以稳定地存在Si-H键和类似于晶体硅的Si-Si键，并且这些键具有大的键能并且不容易断裂。由于a-Si：H材料的结构扰动，一些Si-Si键的键长和键角发生改变，从而使Si-Si键变形。高度应变的Si-Si键具有与H相当的化学势，并且可以被外部能量阻断而形成Si-H键或重建更坚固的Si-Si键。如果断裂应变的Si-Si键未重构，则a-Si：H膜的悬空键密度增加。为了更好地理解SW效应的机理，并找到稳定的加工方法和工艺来控制a-Si：H薄膜的悬空键，国内外科学家已经进行了20多年的不懈努力。物理模型主要包括弱键断裂(SJT)模型，“H玻璃”模型，H碰撞模型，Si-H-Si桥键形成模型，“缺陷池”模型等，但仍然没有统一的观点。